EQM110A06-S

모델 사양

기존 제품 데이터는 초기 선정용입니다. 설계 적용 전에 최신 모델별 데이터시트와 운전 조건을 확인하세요. 표시된 한계값은 모든 조건에서 사용할 수 있는 정격을 의미하지 않습니다.

운전 범위와 제한

DC 출력 극성을 준수하세요. 단일 MOSFET은 양방향 차단을 제공하지 않습니다.

• 입력은 LED이며 정격 24 V 제어 포트가 아닙니다. 전류 제한 드라이버를 사용하거나 R=(Vin−VF)/Iin으로 계산하고 저항 전력, 전압 허용오차 및 GPIO 구동 능력을 함께 검토하세요.
• 차단 전압은 권장 공칭 운전 전압이 아닙니다. 과도 전압 여유를 확보하세요. 정현파에서 피크 60 V를 수학적으로 환산하면 여유를 반영하기 전 42.4 Vrms이며, 무조건적인 42 VAC 시스템 정격이 아닙니다.
• 양방향 차단은 역직렬 MOSFET 모델만 지원합니다. 단일 MOSFET 모델에는 바디 다이오드가 있으므로 지정된 DC 출력 극성을 지켜야 합니다.
• MOSFET 도통 손실은 대략 I²Ron이며 온도에 따라 증가합니다. 패키지 손실과 접합 온도 한계를 모두 충족해야 합니다. 표시 전류는 열 설계 조건에 따라 달라집니다.
• 밀리초 단위의 스위칭 시간은 임의의 고주파 PWM 사용을 보장하지 않습니다. 제로크로스 TRIAC 모델은 AC 전류 전환이 필요하며 DC 스위치나 독립적인 위상 제어기로 사용할 수 없습니다.
• 해당 패키지 도면, PCB 연면거리, 절연 범주 및 납땜 프로파일을 확인하세요. 절연 시험 전압은 연속 운전 전압이 아닙니다.
• 부하에 맞는 서지 억제 및 보호 소자를 사용하세요. DC 플라이백 다이오드는 극성을 맞춰 유도성 부하 양단에 연결하며 스위치 양단에 무조건 연결하는 것이 아닙니다.

패키지 및 핀 배치

SIP4. 해당 전체 모델 코드의 승인 외형도, 핀 배치 및 납땜 조건을 요청하세요. 이미지로 단자 배치를 추정하지 마세요.

적용 관련 질문

관련 모델

• EQM12A060-S — SIP4
• EQM14A006-S — SIP4
• EQM52A006-S6 — SMD6
• EQT3A020-S — SIP4
• EQT1A220-D8 — DIP-8